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625mW力の最高のトランジスターIC破片PNPのトランジスター タイプ2N3906 200mAの現在のコレクター

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625mW力の最高のトランジスターIC破片PNPのトランジスター タイプ2N3906 200mAの現在のコレクター

中国 625mW力の最高のトランジスターIC破片PNPのトランジスター タイプ2N3906 200mAの現在のコレクター サプライヤー

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商品の詳細:

起源の場所: 元の
ブランド名: Original Manufacturer
証明: RoHS
モデル番号: 2N3906

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最小注文数量: 1
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 元の梱包
受渡し時間: 在庫あり
支払条件: TT、Paypal、ウェスタン・ユニオン等
供給の能力: 8万
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詳細製品概要
部分の状態: アクティブ トランジスター タイプ: PNP
現在-コレクター((最高) IC): 200mA 電圧-コレクターのエミッターの故障(最高): 40V
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC: 400mV @ 5mA、50mA 現在-コレクターの締切り(最高): -
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce: 100 @ 10mA、1V パワー最高: 625Mw

 
穴TO-92-3を通した2N3906トランジスターIC破片の両極(BJT)トランジスターPNP 40V 200mA 250MHz 625mW
 

部分の状態 活動的  
トランジスター タイプ PNP  
現在-コレクター((最高) IC) 200mA  
電圧-コレクターのエミッターの故障(最高) 40V  
Vceの飽和(最高) @ Ib、IC 400mV @ 5mA、50mA  
現在-コレクターの締切り(最高) -  
DCの現在の利益(hFE) (分) @ IC、Vce 100 @ 10mA、1V  
パワー最高 625mW  
頻度-転移 250MHz  
実用温度 -55°C | 150°C (TJ)  
土台のタイプ 穴を通して  
パッケージ/場合 TO-226-3、TO-92-3 (TO-226AA)  
製造者装置パッケージ TO-92-3  
基礎部品番号 2N3906

 

最高の評価
 

評価 記号 価値 単位
コレクターのエミッターの電圧 VCEO 40 Vdc
コレクターの基礎電圧 VCBO 40 Vdc
エミッターの基礎電圧 VEBO 5.0 Vdc
連続的なコレクター流れ— IC 200 mAdc
総装置消滅は25°Cの上で@ TA = 25°C軽減します PD

625

5.0

MW mW/°C
全体の電力損失@ TA = 60°C PD 250 MW
総装置消滅は25°Cの上で@ TC = 25°C軽減します PD

1.5

12

mW/°Cワットの
操作および貯蔵の接合部温度の範囲 TJ、Tstg – 55から+150 °C

熱特徴(1)
 

独特 記号 最高 単位
熱抵抗、包囲されたへの接続点 R JA 200 ° C/W
熱抵抗、場合への接続点 R JC 83.3 ° C/W

電気特徴(通知がなければTA = 25°C)

独特 記号 最高 単位

特徴を離れて

 

コレクターのエミッターの絶縁破壊電圧(2) (IC = 1.0 mAdc、IB = 0) V (BR) CEO 40 Vdc
コレクターの基礎絶縁破壊電圧(IC = 10 Adc、IE = 0) V (BR) CBO 40 Vdc
エミッターの基礎絶縁破壊電圧(IE = 10 Adc、IC = 0) V (BR) EBO 5.0 Vdc

基礎締切りの流れ

(VCE = 30のVdc、VEB = 3.0 Vdc)

IBL 50 nAdc

コレクタ遮断電流

(VCE = 30のVdc、VEB = 3.0 Vdc)

ICEX 50 nAdc

1. JEDECの条件に加えてデータを示します。

2. 脈拍テスト:脈拍幅300 s;使用率2.0%。

連絡先の詳細
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

コンタクトパーソン: Cary

電話番号: +8613760106370

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