限られるシンセンGoldensunの電子工学の技術

 

ICを含むBOMのリスト、ダイオード、トランジスター、コンデンサー、抵抗器のための等引用でよい!

ホーム
製品
会社情報
工場
品質管理
連絡方法
お問い合わせ
ホーム 製品記憶 IC 破片

4Mb並列メモリICの破片の低い予備発電7mW CMOSスタンバイIS61WV25616BLL-10TLI

私は今すぐオンラインチャットです

4Mb並列メモリICの破片の低い予備発電7mW CMOSスタンバイIS61WV25616BLL-10TLI

中国 4Mb並列メモリICの破片の低い予備発電7mW CMOSスタンバイIS61WV25616BLL-10TLI サプライヤー

大画像 :  4Mb並列メモリICの破片の低い予備発電7mW CMOSスタンバイIS61WV25616BLL-10TLI

商品の詳細:

起源の場所: 元の
ブランド名: Original Manufacturer
証明: Rosh
モデル番号: IS61WV25616BLL-10TLI

お支払配送条件:

最小注文数量: 1
価格: Negotiation
パッケージの詳細: 元の梱包
受渡し時間: 在庫あり
支払条件: TT、Paypal、ウェスタン・ユニオン等
供給の能力: 8万
Contact Now
詳細製品概要
部分の状態: アクティブ 記憶タイプ: 揮発
記憶フォーマット: SRAM 技術: SRAM -非同期
メモリサイズ: 4Mb (256K X 16) 周期にタイムの単語、ページを書いて下さい: 10ns
アクセス時間: 10ns 記憶インターフェイス: 平行

 

IS61WV25616BLL-10TLIの記憶IC破片SRAM -非同期記憶IC 4Mb (256K X 16)平行10ns 44-TSOP II

 

特徴

高速:(IS61/64WV25616ALL/BLL)

•高速アクセスの時間:8、10、20 ns

•低いアクティブな電源:85 MW (典型的な)

•低い予備発電:7 MW (典型的な) CMOSのスタンバイ

低い電力:(IS61/64WV25616ALS/BLS)

•高速アクセスの時間:25、35、45 ns

•低いアクティブな電源:35 MW (典型的な)

•低い予備発電:0.6 MW (典型的な) CMOSのスタンバイ

•単一の電源

— VDD 1.65Vへの2.2V (IS61WV25616Axx)

— VDD 2.4Vへの3.6V (IS61/64WV25616Bxx)

•十分に静的な操作:時計によってはまたは必須が新たになりません

•3州の出力

•上部および下のバイトのためのデータ制御

•産業および自動車温度サポート

•無鉛利用できる

機能ブロック ダイヤグラム

記述

ISSI IS61WV25616Axx/BxxおよびIS64WV25616Bxx

高速、16ビットにつき262,144ワードとして組織される4,194,304ビット静的なラムはです。それはISSIの高性能CMOSの技術を使用して製造されます。この革新的な回路設計の技術とつながれる信頼性が高い親cess

高性能収穫および低い電力の消費の非悪。

 

セリウムが高い(選択解除される)時、装置は電力損失がCMOSの入力レベルと減らすことができる待機モードを仮定します。

 

容易なメモリ拡張は破片の使用によって可能になります提供され、出力するために入力、セリウムおよびOEを可能にして下さい。活動的な低速は可能にします記憶の(WE)制御執筆そして読書を両方書きます。データ バイトは上部バイト(UB)およびバイトの(LB)のより低いアクセスを可能にします。

 

IS61WV25616Axx/BxxおよびIS64WV25616BxxはJEDEC標準的な44ピンTSOPタイプIIおよび48ピン小型BGA (6mm x 8mm)で包まれます。

DCの電気特徴(動作範囲に)

VDD = 3.3V + 5%

 

記号 変数 テスト条件 最少。 最高。 単位
Vオハイオ州 出力高圧 VDD = Min.、Iオハイオ州= – 4.0 mA 2.4 V
VOL 出力低電圧 VDD = Min.、IOL = 8.0 mA 0.4 V
VIH 入力高圧   2 VDD + 0.3 V
VIL 入力低電圧(1)   – 0.3 0.8 V
I 入力漏出 £ VDDのGNDの£ V – 1 1 µA
ILO 出力漏出 GNDの£ Vの£ VDDの不具になる出力 – 1 1 µA

注:

1. VIL (最少) = – 0.3V DC;VIL (最少) = – 2.0V AC (脈拍幅 < 10="" ns="">

VIH (最高。) = VDD + 0.3V DC;VIH (最高。) = VDD + 2.0V AC (脈拍幅 < 10="" ns="">

 

 

DCの電気特徴(動作範囲に)

VDD = 2.4V-3.6V

 

記号 変数 テスト条件 最少。 最高。 単位
Vオハイオ州 出力高圧 VDD = Min.、Iオハイオ州= – 1.0 mA 1.8 V
VOL 出力低電圧 VDD = Min.、IOL = 1.0 mA 0.4 V
VIH 入力高圧   2.0 VDD + 0.3 V
VIL 入力低電圧(1)   – 0.3 0.8 V
I 入力漏出 £ VDDのGNDの£ V – 1 1 µA
ILO 出力漏出 GNDの£ Vの£ VDDの不具になる出力 – 1 1 µA

注:

1. VIL (最少) = – 0.3V DC;VIL (最少) = – 2.0V AC (脈拍幅 < 10="" ns="">

VIH (最高。) = VDD + 0.3V DC;VIH (最高。) = VDD + 2.0V AC (脈拍幅 < 10="" ns="">

 

 

DCの電気特徴(動作範囲に)

VDD = 1.65V-2.2V

 

記号 変数 テスト条件 VDD 最少。 最高。 単位
Vオハイオ州 出力高圧 Iオハイオ州= -0.1 mA 1.65-2.2V 1.4 V
VOL 出力低電圧 IOL = 0.1 mA 1.65-2.2V 0.2 V
VIH 入力高圧   1.65-2.2V 1.4 VDD + 0.2 V
VIL (1) 入力低電圧   1.65-2.2V – 0.2 0.4 V
I 入力漏出 £ VDDのGNDの£ V – 1 1 µA
ILO 出力漏出 GNDの£ Vの£ VDDの不具になる出力 – 1 1 µA

注:

1. VIL (最少) = – 0.3V DC;VIL (最少) = – 2.0V AC (脈拍幅 < 10="" ns="">

VIH (最高。) = VDD + 0.3V DC;VIH (最高。) = VDD + 2.0V AC (脈拍幅 < 10="" ns="">

ACテスト条件

 

変数 単位 単位 単位
  (2.4V-3.6V) (3.3V +10%) (1.65V-2.2V)
InputPulseLevel 0Vto3V 0Vto3V 0Vto1.8V
入力上昇および落下時間 1V/ ns 1V/ ns 1V/ ns
InputandOutputTimingのandReferenceLevel (VRef 1.5V 1.5V 0.9V
OutputLoad 図1および2を見て下さい 図1および2を見て下さい 図1および2を見て下さい

連絡先の詳細
Shenzhen Goldensun Electronics Technology Limited

コンタクトパーソン: Cary

電話番号: +8613760106370

私達に直接お問い合わせを送信 (0 / 3000)